半導(dǎo)體
2024年08月14日半導(dǎo)體分類
第1代半導(dǎo)體材料主要是指硅、鍺元素半導(dǎo)體材料；
第2代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵(GaAs)、銻化銦（InSb）；
第3代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅(SiC) 、氮化鎵( GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。
硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈介紹
2024年08月14日半導(dǎo)體分類
第1代半導(dǎo)體材料主要是指硅、鍺元素半導(dǎo)體材料；
第2代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵(GaAs)、銻化銦（InSb）；
第3代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅(SiC) 、氮化鎵( GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。
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